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Ab initio -based approach for the oxidation mechanisms at SiO2 /4H-SiC interface: Interplay of dry and wet oxidants during interfacial reaction |
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期刊:PHYSICAL REVIEW MATERIALS 作者:T. Shimizu; T. Akiyama; T. Ito; H. Kageshima; M. Uematsu; et al 出版日期:2021-11-03 |
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