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Elimination of Si-C Defect on Wafer Surface in High-Temperature SPM Process Through Nitrogen Purge in 300-mm Single-Wafer Chamber
网址
http://dx.doi.org/10.1109/tsm.2024.3416079
DOI
10.1109/tsm.2024.3416079 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
作者：Rajan Kumar Singh; Alfie Lin; Haley Lin; Max Chen; Yvonne Pan; et al
出版日期：2024-08-01
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时不言 在 2026-07-07 16:57:14 发布自浙江，悬赏 10 积分
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