| 标题 |
Fermi-Level Depinning in Germanium Using Black Phosphorus as an Interfacial Layer |
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10.1109/LED.2019.2935785
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- 标题:Fermi-Level Depinning in Germanium Using Black Phosphorus as an Interfacial Layer - 期刊:*IEEE Electron Device Letters* - 年份:2019 - 卷期:40(10), 1617–1620 - DOI:10.1109/LED.2019.2935785 - 核心内容:通过插入二维黑磷薄层作为界面层,在强钉扎的锗衬底上实现了费米能级解钉扎,势垒高度调控范围扩展0.52 eV,是经典的插层法突破巴丁极限的实验验证,被后续大量2D接触研究引用。 |
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(2025-6-4)