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 Impact of Channel Doping Concentration on the Performance Characteristics and the Reliability of Ultra-Thin Double Gate DG-FinFET Compared with Nano-Single Gate FD-SOI-MOSFET by Using TCAD-Silvaco Tool 利用TCAD-Silvaco工具比较沟道掺杂浓度对超薄双栅DG-FinFET与纳米单栅FD-SOI-MOSFET性能特性和可靠性的影响
相关领域
材料科学
跨导
MOSFET
绝缘体上的硅
光电子学
阈值电压
阈下斜率
阈下传导
兴奋剂
排水诱导屏障降低
晶体管
电气工程
信道长度调制
电压
硅
工程类
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期刊：Silicon 作者：Nassima Bourahla; Baghdad Hadri; A. Bourahla 出版日期：2021-05-01 |
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