| 标题 |
 A CMOS-Compatible 12nm 8Mb MLC RRAM Enabling Producible 2-Bit Per Cell for High Energy Efficiency Compute-In-Memory in Edge AI Applications 兼容CMOS的12纳米8Mb MLC RRAM，每个单元可生产2位，用于边缘人工智能应用中的高能效内存计算
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：C.Y. Tsai; S.F. Liu; J.H. Hsuen; Brian Lin; C.R. Hsieh; et al 出版日期：2025 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
奔跑
Criminology34
OK
GingerF
东方元语
单纯的书白
sanvva
Zsq
馆长
阔达曼寒
陌上
牧青
幻影猫
heekkll
mmyhn
无衷
安详香旋
李宇
积极的越彬
皖公网安备34019202002308
