| 标题 |
The influence of growth conditions on carrier lifetime in 4H–SiC epilayers 生长条件对4H-SiC外延层载流子寿命的影响
相关领域
载流子寿命
光致发光
限制
化学气相沉积
材料科学
化学
空位缺陷
分析化学(期刊)
增长率
光电子学
硅
结晶学
环境化学
机械工程
几何学
数学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Louise Lilja; Ian D. Booker; Jawad Ul‐Hassan; Erik Janzén; J. P. Bergman 出版日期:2013-07-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|