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[高分]
 A 50ns Verify Speed in Resistive Random Access Memory by Using a Write Resistance Tracking Circuit 利用写电阻跟踪电路实现电阻随机存取存储器50ns验证速度
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Shyh-Shyuan Sheu; Kuo‐Hsing Cheng; Yu‐Sheng Chen; Pang-Shiu Chen; Ming‐Jinn Tsai; et al 出版日期：2012-01-01 |
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