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Deep level traps in semi‐polar n‐GaN grown on patterned sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy |
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期刊:physica status solidi (b) 作者:X. S. Nguyen; H. W. Hou; P. De Mierry; P. Vennéguès; F. Tendille; et al 出版日期:2016-08-31 |
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(2025-6-4)