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  Multiple three-dimensional bottleneck barrier heights regarding fluctuated threshold voltage by ion implantation to source and drain extensions of silicon-on-insulator triple-gate fin-type field-effect transistors 通过离子注入绝缘体上硅三栅极鳍型场效应晶体管源极和漏极延伸部的波动阈值电压的多个三维瓶颈势垒高度
相关领域
阈值电压
瓶颈
物理
电压
计算物理学
晶体管
材料科学
工程类
量子力学
嵌入式系统
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| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Toshiyuki Tsutsumi 出版日期：2022-03-03 |
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