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 An Integrated LVDS Transmitter in 0.18-$\mu$ m CMOS Technology With High Immunity to EMI 采用0.18-$\mu$m CMOS技术的集成LVDS发射器，具有高EMI抗扰度
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期刊：IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 作者：Gilbert Matig-a; Mehmet Rasit Yuce; Jean‐Michel Redouté 出版日期：2014-10-01 |
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