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 Determination of Thickness and Doping Features of Multilayer 4H-SiC Structures by Frequency Analysis of IR Reflection Spectra 红外反射光谱频率分析测定4H-SiC多层结构的厚度和掺杂特性
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期刊：Technical Physics Letters 作者：A. V. Afanasjev; В. И. Зубков; Vladimir Aleksandrovich Ilyin; В. В. Лучинин; Maria V. Pavlova; et al 出版日期：2024-02-01 |
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