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标题
Design Insights into Thermal Performance of Vertically Stacked JL-NSFET with High-k Gate Dielectric for Sub 5-nm Technology Node
用于亚5纳米技术节点的具有高k栅极介质的垂直堆叠JL-NSFET热性能的设计见解
相关领域
跨导 材料科学 电介质 截止频率 栅极电介质 电容 光电子学 振荡（细胞信号） 晶体管 无线电频率 高-κ电介质 电气工程 电极 物理 电压 量子力学 生物 遗传学 工程类
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac6627
DOI
10.1149/2162-8777/ac6627 doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：Sresta Valasa; Shubham Tayal; Laxman Raju Thoutam
出版日期：2022-04-01
求助人
风中的晓灵 在 2025-08-05 01:21:36 发布，悬赏 10 积分
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