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 Design Insights into Thermal Performance of Vertically Stacked JL-NSFET with High-k Gate Dielectric for Sub 5-nm Technology Node 用于亚5纳米技术节点的具有高k栅极介质的垂直堆叠JL-NSFET热性能的设计见解
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Sresta Valasa; Shubham Tayal; Laxman Raju Thoutam 出版日期：2022-04-01 |
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