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 Effect of Hydrogen on Electrical Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs After HTO Stress 相关领域
材料科学
光电子学
宽禁带半导体
氢
压力（语言学）
化学
语言学
哲学
有机化学
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Chang Liu; Hongxia Liu; Yiqiang Chen; Zongqi Cai; Zhiyuan He; et al 出版日期：2024-08-12 |
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