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Statistics of Resistance Drift Due to Structural Relaxation in Phase-Change Memory Arrays |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Mattia Boniardi; Daniele Ielmini; Simone Lavizzari; Andrea L. Lacaita; Andrea Redael; Agostino Pirovano 出版日期:2010-08-25 |
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