On the temperature dependence of electron leakage from the active region of GaInN/GaN light-emitting diodes

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标题	On the temperature dependence of electron leakage from the active region of GaInN/GaN light-emitting diodes
网址	https://doi.org/10.1063/1.3618673
DOI	10.1063/1.3618673 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：David S. Meyaard; Qifeng Shan; Qi Dai; Jaehee Cho; E. Fred Schubert; et al 出版日期：2011
求助人	陆离在 2026-03-03 19:08:20 发布自陕西，悬赏 10 积分
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