| 标题 |
 (Invited) Factors Impacting Threshold Voltage in Advanced CMOS Integration: Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI) 相关领域
金属浇口
节点（物理）
CMOS芯片
微电子
绝缘体上的硅
电子工程
阈值电压
电气工程
栅极电压
工程类
缩放比例
电压
计算机科学
光电子学
材料科学
晶体管
栅氧化层
硅
数学
结构工程
几何学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ECS Transactions 作者：Dina H. Triyoso; Rick Carter; J. Kluth; S. Luning; Amy Child; et al 出版日期：2015-09-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
GingerF
6666
渡人舟
Criminology34
囧囧
arniu2008
无奈的梦凡
修仙中
OK
Nole
无极微光
馨馨的科科
Kao
外向又夏
干净的琦
aajhajkahna
Dong021
立志干到博士退休
369ninja
皖公网安备34019202002308
