$f_{T}$ and $f_{\rm MAX}$ of 47 and 81 GHz , Respectively, on N-Polar GaN/AlN MIS-HEMT

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标题	$f_{T}$ and $f_{\rm MAX}$ of 47 and 81 GHz , Respectively, on N-Polar GaN/AlN MIS-HEMT 相关领域高电子迁移率晶体管材料科学欧姆接触兴奋剂光电子学氮化镓晶体管电气工程图层（电子）纳米技术工程类电压
网址	https://doi.org/10.1109/led.2009.2020305
DOI	10.1109/led.2009.2020305 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Nidhi; Sandeepan DasGupta; Yi Pei; Brian L. Swenson; David F. Brown; et al 出版日期：2009-05-27
求助人	生动娩在 2026-01-09 22:45:51 发布自上海，悬赏 10 积分
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