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The DC Performance and RF Characteristics of GaN-Based HEMTs Improvement Using Graded AlGaN Back Barrier and Fe/C Co-Doped Buffer 相关领域
材料科学
跨导
光电子学
兴奋剂
阻挡层
高电子迁移率晶体管
击穿电压
阈值电压
宽禁带半导体
氮化镓
图层(电子)
晶体管
电压
电气工程
纳米技术
工程类
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Ling Yang; Bin Hou; Fuchun Jia; Meng Zhang; Mei Wu; et al 出版日期:2022-06-08 |
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