| 标题 |
 Memory Effect and Charge-transport Mechanisms of Write-once-read-many-times Bistable Devices Based on ZnS Quantum Dots Embedded in Poly-4-vinyl-phenol Layer 相关领域
双稳态
材料科学
量子点
电荷（物理）
图层（电子）
光电子学
纳米技术
量子力学
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Chinese Journal of Luminescence 作者：吴燕宇 WU Yan-yu; 张晓松 ZHANG Xiao-song; 徐建萍 XU Jian-ping; 牛喜平 NIU Xi-ping; 罗程远 LUO Cheng-yuan; et al 出版日期：2012-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
无极微光
Copyright
乐空思
OK
Nole
健壮的书桃
cdercder
yjh123
斯文钢笔
GingerF
sagitar
微笑谷雪
学术文献互助
arniu2008
行走的荷尔蒙
初景
科研狗
Criminology34
殷勤的紫槐
皖公网安备34019202002308
