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[高分]
 A 130-nm CMOS 95-mm2 1-Gb Multilevel AG-AND-Type Flash Memory with 10-MB/s Programming Throughput 相关领域
吞吐量
CMOS芯片
闪光灯（摄影）
闪存
计算机科学
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Hiroki Kurata; Shuji Saeki; Takashi Kobayashi; Y. Sasago; T. ARIGANE; et al 出版日期：2006-10-01 |
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