Impact of band gap and gate dielectric engineering on novel Si0.1Ge0.9-GaAs lateral N-type charge plasma based JLTFET

已完结

文献求助详情

标题	Impact of band gap and gate dielectric engineering on novel Si0.1Ge0.9-GaAs lateral N-type charge plasma based JLTFET 带隙和栅介质工程对新型Si0.1Ge 0.9-GaAs横向N型电荷等离子体基JLTFET的影响相关领域互调电介质材料科学线性光电子学失真（音乐）等离子体电气工程物理工程类量子力学放大器 CMOS芯片
网址	https://doi.org/10.1016/j.mejo.2022.105610
DOI	10.1016/j.mejo.2022.105610 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：Kaushal Kumar; S. C. Sharma 出版日期：2022-10-14
求助人	慕夏在 2025-08-26 11:53:41 发布自上海，悬赏 10 积分
下载	该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。
	温馨提示：该文献已被科研通学术中心收录，前往查看科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。

上个求助

提交工单

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

老实憨厚无套路，服务科研追梦人

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

更新

📰 新增『新锐期刊分区』 (2026-3-24)

更新

💬 新增更精细的自定义提醒设置 (2026-1-4)

新增

🕒 每天60秒读懂世界·精选全球要闻 (2026-1-2)

新增

PDF的下载单位、IP信息已删除 (2025-6-4)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: 郭志强完成签到，获得积分10

刚刚; jerkran完成签到，获得积分10

刚刚; 布里田完成签到，获得积分10

刚刚; ASDq完成签到，获得积分10

1秒前; Dawn发布了新的文献求助10

1秒前; wanci上传了应助文件

1秒前; 香蕉觅云上传了应助文件

1秒前; 青己完成签到，获得积分10

1秒前; jugfbj完成签到，获得积分10

1秒前; 空格TNT完成签到，获得积分10

2秒前; 角逐完成签到，获得积分10

2秒前; 在水一方上传了应助文件

2秒前; 小马甲的应助被望向天空的鱼采纳，获得10

2秒前; shaoshao86完成签到，获得积分10

2秒前; lsp的应助被wjw采纳，获得10

2秒前; 脑洞疼的应助被乐观惜萱采纳，获得10

2秒前; 科研通AI6.1的应助被Rbb采纳，获得10

3秒前; 淡淡夕阳完成签到，获得积分10

3秒前; 晴天完成签到，获得积分10

3秒前; 流浪学者小番薯完成签到，获得积分10

3秒前; hhhh_xt完成签到，获得积分10

4秒前; Giacenta发布了新的文献求助10

4秒前; 种下星星的日子发布了新的文献求助10

4秒前; 爱科研的方完成签到，获得积分10

4秒前; 希望天下0贩的0的应助被感动从寒采纳，获得10

5秒前; 哈哈哈完成签到，获得积分0

5秒前; 田様的应助被拉长的鼠标采纳，获得10

6秒前; 13完成签到，获得积分10

6秒前; natus发布了新的文献求助10

6秒前; 叁柒37完成签到，获得积分10

6秒前; 随机发发布了新的文献求助10

6秒前; ZOLEI完成签到，获得积分10

7秒前; 好运来发布了新的文献求助10

7秒前; 轻松博超完成签到，获得积分10

7秒前; yin发布了新的文献求助10

7秒前; anastasia完成签到，获得积分10

7秒前; WN完成签到，获得积分10

7秒前; mayi完成签到，获得积分10

8秒前; danporzhu完成签到，获得积分10

8秒前; 魁梧的觅山完成签到，获得积分10

9秒前