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Properties of V-defect injectors in long wavelength GaN LEDs studied by near-field electro- and photoluminescence
用近场电致发光和光致发光研究长波长GaN LED中V型缺陷注入器的性质
相关领域
发光二极管 光致发光 光电子学 材料科学 波长 宽禁带半导体 二极管 喷油器 领域（数学） 氮化镓 纳米技术 物理 数学 热力学 纯数学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1063/5.0227663
AI链接 aip.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0227663 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Rinat Yapparov; Tanay Tak; Jacob Ewing; Shuji Nakamura; Steven P. DenBaars; et al
出版日期：2024-08-26
求助人
wlz 在 2025-12-05 11:30:13 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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