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标题
Oxidation differences on Si- versus C-terminated surfaces of SiC during planarization in the fabrication of high-power, high-frequency semiconductor device
高功率、高频半导体器件制造中平坦化过程中SiC与C端接表面的氧化差异
相关领域
化学机械平面化 材料科学 薄脆饼 氧化物 碳化硅 半导体 制作 图层（电子） 硅 化学工程 光电子学 纳米技术 复合材料 冶金 替代医学 病理 工程类 医学
网址
https://www.nature.com/articles/s41598-023-49622-z.pdf
AI链接 nature.com nature.com nih.gov nih.gov nih.gov doaj.orgdoi.org
DOI
10.1038/s41598-023-49622-z doi
其它 期刊：Scientific Reports
作者：Ganggyu Lee; Yeram Lee; Sungmin Kim; Donghwan Kim; Hongjun Park; et al
出版日期：2023-12-21
求助人
沐雨疏桐 在 2025-12-04 18:39:31 发布自吉林，悬赏 10 积分
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