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Investigation into the MOCVD Growth and Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Wells by Modulating NH3 Flux 调制NH3通量研究InGaN/GaN量子阱的MOCVD生长及光学性质
相关领域
金属有机气相外延
量子阱
铟
光致发光
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期刊:Crystals 作者:Zhenyu Chen; Feng Liang; Degang Zhao; Jing Yang; Ping Chen; et al 出版日期:2023-01-10 |
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