| 标题 |
  Trade-off analysis between gm/ID and fT of GNR-FETs with single-gate and double-gate device structure 单栅和双栅器件结构GNR-FET的gm/ID和fT权衡分析
相关领域
跨导
晶体管
电容
增益-带宽产品
物理
场效应晶体管
光电子学
功勋
材料科学
电子工程
电压
CMOS芯片
放大器
运算放大器
工程类
量子力学
电极
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Scientific Reports 作者：Md Akram Ahmad; Pankaj Kumar; Bhubon Chandra Mech; Jitendra Kumar 出版日期：2024-05-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
秋风
无极微光
aaaa
DW
蓝天
愉快的真
xing_xing
DOC_XIONG
Criminology34
潇洒的惋清
科研狗
鹤暮
lalala
Dean
贪玩的秋柔
aajhajkahna
GingerF
初景
痴情的朋友
小薛
皖公网安备34019202002308
