A Two‐Step Dry Etching Model for Non‐Uniform Etching Profile in Gate‐All‐Around Field‐Effect Transistor Manufacturing

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标题	A Two‐Step Dry Etching Model for Non‐Uniform Etching Profile in Gate‐All‐Around Field‐Effect Transistor Manufacturing 全栅极场效应晶体管非均匀刻蚀轮廓的两步干法刻蚀模型相关领域蚀刻（微加工）材料科学干法蚀刻制作反应离子刻蚀晶体管光电子学场效应晶体管 GSM演进的增强数据速率燃烧室压力纳米技术计算机科学图层（电子）电气工程冶金工程类电压医学电信替代医学病理
网址	https://doi.org/10.1002/smll.202405574
DOI	10.1002/smll.202405574 doi
其它	期刊：Small 作者：Ziyi Hu; Junjie Li; Rui Chen; D. S. Shang; Yayi Wei; et al 出版日期：2024-10-11
求助人	thremo 在 2024-10-28 13:35:03 发布自北京，悬赏 10 积分
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