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标题
300-V class power n-channel LDMOS transistor implemented in 0.18-μm silicon-on-insulator (SOI) technology
采用0.18 μ m绝缘体上硅（SOI）技术实现的300V级功率n沟道LDMOS晶体管
相关领域
LDMOS 绝缘体上的硅 晶体管 薄脆饼 电气工程 CMOS芯片 光电子学 材料科学 工程类 硅 电子工程 电压
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2015.11.004
DOI
10.1016/j.microrel.2015.11.004 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Shuai Zhang; Hsiao-Chin Tuan; Xiaojing Wu; Lei Shi; Jian Wu
出版日期：2015-11-19
求助人
moyueeer 在 2025-05-17 03:03:12 发布自江苏，悬赏 10 积分
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