Study of thermal annealing on gallium oxide heteroepitaxial layers grown on SiC for vertical Schottky barrier diodes applications

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标题	Study of thermal annealing on gallium oxide heteroepitaxial layers grown on SiC for vertical Schottky barrier diodes applications
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsadv.2024.100661
DOI	10.1016/j.apsadv.2024.100661 doi
其它	期刊：Applied surface science advances 作者：Chia-Yuan Ku; Sheng-Ti Chung; Fu‐Gow Tarntair; Ching‐Lien Hsiao; Ray‐Hua Horng 出版日期：2024-11-18
求助人	爱吃糖在 2026-09-03 14:47:30 发布自上海，悬赏 10 积分
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