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Dislocation Introduction via Domain Engineering in Mg2Sn Single Crystal to Improve its Thermoelectric Properties 通过畴工程在Mg2Sn单晶中引入位错改善其热电性能
相关领域
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期刊:Small methods 作者:Zhicheng Huang; K. Hayashi; Wataru Saito; Hezhang Li; Jun Jie Pei; et al 出版日期:2025-03-26 |
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