| 标题 |
  Atmospheric Plasma Etching-Assisted Chemical Mechanical Polishing for 4H-SiC: Parameter Optimization and Surface Mechanism Analysis 4H-SiC大气等离子体刻蚀辅助化学机械抛光参数优化及表面机理分析
相关领域
抛光
蚀刻（微加工）
等离子体
材料科学
机制（生物学）
化学机械平面化
等离子体刻蚀
各向同性腐蚀
曲面（拓扑）
大气压等离子体
干法蚀刻
反应离子刻蚀
复合材料
物理
几何学
量子力学
数学
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Copyright
无极微光
Nexus
GingerF
OK
浮游
番茄酱酱酱
DKJ
带头大哥
恰恰恰
个性的紫菜
动听白风
畔畔
Sea_U
昵称95s
三土
ASLYJS
sagitar
机灵柚子
皖公网安备34019202002308
