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标题
Study of modeling for hetero-materiel gate fully depleted SSDOI MOSFET
相关领域
绝缘体上的硅 材料科学 MOSFET 泊松方程 光电子学 电场 短通道效应 电压 硅 计算机科学 晶体管 电气工程 物理 工程类 量子力学
网址
https://doi.org/10.7498/aps.61.017105
DOI
10.7498/aps.61.017105 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Lei Cao; Hongxia Liu; Guanyu Wang
出版日期：2012-01-01
求助人
Ada 在 2025-10-17 13:16:54 发布自重庆，悬赏 10 积分
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