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 Enhanced resistive switching uniformity in HfO2/TiO2 NWA memristor for synaptic simulation 用于突触模拟的HfO2/TiO2 NWA忆阻器电阻开关均匀性的增强
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yudong Sun; Jing Wang; Dong He; Menghua Yang; Changzhong Jiang; et al 出版日期：2023-03-27 |
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