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 Controlled orientation of molecular-beam-epitaxial BaTiO3on Si(001) using thickness engineering of BaTiO3and SrTiO3buffer layers 利用BaTiO3和SrTiO3缓冲层厚度工程控制分子束外延BaTiO3在Si（001）上的取向
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缓冲器（光纤）
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领域（数学分析）
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期刊：Applied Physics Express 作者：Min‐Hsiang Mark Hsu; Dries Van Thourhout; Marianna Pantouvaki; Johan Meersschaut; Thierry Conard; et al 出版日期：2017-05-16 |
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