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 Design of Highly Reliable 14T and 16T SRAM Cells Combined With Layout Harden Technique 相关领域
静态随机存取存储器
计算机科学
计算机硬件
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Feng Wei; Xiaole Cui; Qixue Zhang; Sunrui Zhang; Xiaoxin Cui; et al 出版日期：2024-06-24 |
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