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Comprehensive analysis of MOSFET threshold voltage extraction method considering DIBL effect from 300 K down to 10 K 从300 K降至10 K考虑DIBL效应的MOSFET阈值电压提取方法综合分析
相关领域
MOSFET
排水诱导屏障降低
材料科学
阈值电压
萃取(化学)
光电子学
电压
栅极电压
信道长度调制
工程物理
电气工程
工程类
晶体管
化学
色谱法
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期刊:Solid-State Electronics 作者:Zhuxuan Ma; Hao Su; Yuhuan Lin; Shenghua Zhou; Feichi Zhou; et al 出版日期:2024-12-10 |
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