Demonstration of Schottky barrier diode integrated in 200 V power p-GaN HEMTs technology with robust stability - 科研通

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标题	Demonstration of Schottky barrier diode integrated in 200 V power p-GaN HEMTs technology with robust stability 具有鲁棒稳定性的200V功率p-GaN HEMTs技术集成肖特基势垒二极管演示相关领域肖特基势垒光电子学肖特基二极管材料科学二极管氮化镓功率（物理）理论（学习稳定性）电气工程工程类物理纳米技术计算机科学图层（电子）量子力学机器学习
网址	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114568
DOI	10.1016/j.microrel.2022.114568 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：Jethro Oroceo Gallardo; Sachidananda Dash; Thanh Nga Tran; Zhen-Hong Huang; Shun‐Wei Tang; et al 出版日期：2022-05-28
求助人	ppboyindream 在 2025-05-21 15:45:17 发布自上海，悬赏 10 积分
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