High mobility p-channel tin monoxide thin-film transistors with hysteresis-free like behavior

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标题	High mobility p-channel tin monoxide thin-film transistors with hysteresis-free like behavior
网址	https://doi.org/10.1063/5.0115893
DOI	10.1063/5.0115893 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Taikyu Kim; Ho‐Chang Lee; Se Eun Kim; Jeong‐Kyu Kim; Jae Kyeong Jeong 出版日期：2022-10-03
求助人	wu 在 2026-09-09 19:25:00 发布自浙江，悬赏 10 积分
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