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ESD HBM 3kV Discharge for Monolithic GaN-on-Si HEMTs Integrated Chips |
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期刊:2023 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Tz-Wun Wang; Chang-Lin Go; Sheng-Hsi Hung; Chi-Yu Chen; Po-Jui Chiu; et al 出版日期:2024-02-08 |
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