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 An Unexpected Electrochemical Performance Enabled by In Situ Formed Quasi‐Metal‐Semiconductor Heterojunction with Innumerous P‐Type Anti‐Barrier Layer 具有无数P型反势垒层的原位形成准金属-半导体异质结实现了意想不到的电化学性能
相关领域
材料科学
异质结
半导体
电化学
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钴
化学工程
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图层（电子）
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期刊：Advanced Energy Materials 作者：Yu Li; Jinyan Cai; Jiawei Zhang; Zhen Chen; Gongming Wang; et al 出版日期：2023-02-17 |
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