Improved 4H-SiC N-MOSFET Interface Passivation by Combining N2O Oxidation with Boron Diffusion

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标题	Improved 4H-SiC N-MOSFET Interface Passivation by Combining N2O Oxidation with Boron Diffusion
网址	http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.352
DOI	10.4028/www.scientific.net/msf.897.352 doi
其它	期刊：Materials Science Forum 作者：Maria Cabello; Victor Soler; Narcis Mestres; Josep Montserrat; José Rebollo; et al 出版日期：2017-05-15
求助人	小欧在 2026-10-09 10:51:11 发布自阿根廷，悬赏 30 积分
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