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 Amorphous IGZO TFTs Featuring Extremely-Scaled Channel Thickness and 38 nm Channel Length: Achieving Record High Gm,max of 125 μS/μm at VDS of 1 V and ION of 350 μA/μm 非晶态IGZO薄膜晶体管具有极高的沟道厚度和38 nm的沟道长度：在1 V的VDS和350 μ A/μ m的离子下实现了创纪录的高Gm，最大值为125 μ S/μ m
相关领域
无定形固体
材料科学
物理
化学
结晶学
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| 其它 |
期刊：Symposium on VLSI Technology 作者：Subhranu Samanta; Kaizhen Ran; Chen Sun; Chengkuan Wang; Aaron Thean; et al 出版日期：2020-06-01 |
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