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 Self‐Rectifying Short‐Term Memory Phenomena Through Integration of TiOx Oxygen Reservoir and Al2O3 Barrier Layers for Neuromorphic System 神经形态系统TiOx储氧层和Al2O3阻挡层集成的自校正短期记忆现象
相关领域
神经形态工程学
期限（时间）
氧气
材料科学
光电子学
纳米技术
物理
计算机科学
人工神经网络
人工智能
量子力学
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| 其它 |
期刊：Advanced materials and technologies 作者：Hyeonseung Ji; Sungjoon Kim; Sungjun Kim 出版日期：2024-09-13 |
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