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标题
Ultrathin Body and Buried Oxide SOI MOSFETs With Non-LDD Source/Drain Extensions: A Simulation Study
具有非LDD源/漏扩展的超薄体和埋氧化物SOI MOSFET的模拟研究
相关领域
MOSFET 绝缘体上的硅 光电子学 排水诱导屏障降低 电气工程 地平面 材料科学 阈下传导 阈下摆动 频道（广播） 阈下斜率 硅 栅氧化层 晶体管 电子工程 工程类 电压 天线（收音机）
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3335169
DOI
10.1109/ted.2023.3335169 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Dongli Zhang; Yeye Guo; Guoao Zhou; Lekai Chen; Mingxiang Wang; et al
出版日期：2023-11-30
求助人
Reni 在 2025-08-29 21:05:45 发布，悬赏 10 积分
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