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Signal Integrity Analysis of Through-Silicon Via (TSV) With a Silicon Dioxide Well to Reduce Leakage Current for High-Bandwidth Memory Interface
用于高带宽存储接口的二氧化硅阱硅通孔(TSV)信号完整性分析
相关领域
通过硅通孔
材料科学
硅
电容
光电子学
泄漏(经济)
电子工程
电气工程
介电常数
信号完整性
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期刊:IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology 作者:Hyunwoong Kim; Seonghi Lee; Jong-Cheol Park; Yujun Shin; Seongho Woo; et al 出版日期:2023-05-01 |
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