Failure mechanism of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes under harsh thermal cycling stress

已完结

文献求助详情

标题	Failure mechanism of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes under harsh thermal cycling stress 相关领域材料科学钝化碳化硅温度循环分层（地质）动力循环光电子学二极管可靠性（半导体）肖特基势垒氧化物肖特基二极管复合材料工程物理法律工程学图层（电子）热的功率（物理）冶金工程类古生物学物理量子力学生物气象学俯冲构造学
网址	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114630
DOI	10.1016/j.microrel.2022.114630 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：Yuan-Lan Zhang; Jie Zhang; Hong-Ping Ma; Yanqing Chi; Hao-Ran Tian; et al 出版日期：2022-07-20
求助人	星月在 2026-01-07 21:59:32 发布自天津，悬赏 10 积分
下载	该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。
	温馨提示：该文献已被科研通学术中心收录，前往查看科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。

上个求助

下个求助

提交工单

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

不忘初心，牢记使命，为科研工作者服务

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

更新

新增更精细的自定义提醒设置 (2026-1-4)

更新

2025年影响因子查询已上线 (2025-6-18)

更新

PDF的下载单位、IP信息已删除 (2025-6-4)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: 滴哩哩哒哒完成签到，获得积分10

1秒前; 王kk完成签到，获得积分10

2秒前; 非哲完成签到，获得积分10

2秒前; cai'e完成签到，获得积分10

3秒前; yurunxintian完成签到，获得积分10

3秒前; 关远航完成签到，获得积分10

4秒前; logolush完成签到，获得积分10

5秒前; lxcy0612完成签到，获得积分10

6秒前; nianshu完成签到，获得积分0

9秒前; 车剑锋完成签到，获得积分0

11秒前; 雨竹完成签到，获得积分10

13秒前; 汉堡包的应助被宜菏采纳，获得20

13秒前; 蟑先生完成签到，获得积分10

15秒前; 务实鞅完成签到，获得积分10

16秒前; babao完成签到，获得积分10

18秒前; Orange上传了应助文件

20秒前; 量子星尘发布了新的文献求助10

22秒前; Deiog完成签到，获得积分10

23秒前; 宜菏完成签到，获得积分10

24秒前; 科研通AI6上传了应助文件

24秒前; GS草台班子发布了新的文献求助30

24秒前; 会盟完成签到，获得积分10

25秒前; Eternal完成签到，获得积分10

27秒前; 外向大楚完成签到，获得积分10

30秒前; 大气的土豆完成签到，获得积分10

31秒前; ESC惠子子子子子完成签到，获得积分10

32秒前; 善学以致用上传了应助文件

36秒前; 推土机爱学习完成签到，获得积分10

37秒前; 蟑先生发布了新的文献求助10

38秒前; 云汐儿完成签到，获得积分10

39秒前; ding7862发布了新的文献求助10

40秒前; 舒心的青亦完成签到，获得积分10

41秒前; 叫我益达完成签到，获得积分10

41秒前; YJ完成签到，获得积分10

47秒前; Liu完成签到，获得积分10

50秒前; 西扬完成签到，获得积分10

53秒前; haochi完成签到，获得积分10

54秒前; xx完成签到，获得积分10

58秒前; zly完成签到，获得积分10

59秒前; 朴实钥匙完成签到，获得积分10

1分钟前