| 标题 |
Impact of Voltage Polarity on Time-Dependent Dielectric Breakdown of 1-nm MgO-Based STT-MRAM With Self-Heating Correction 相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
介电强度
磁阻随机存取存储器
凝聚态物理
电介质
压力(语言学)
阿累尼乌斯方程
磁电阻
电压
活化能
电气工程
光电子学
化学
物理
栅极电介质
磁场
工程类
计算机科学
计算机硬件
量子力学
哲学
语言学
晶体管
有机化学
随机存取存储器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Joel Tan; Jia Hao Lim; Bejoy Sikder; Md Zunaid Baten; Jae Hyun Kwon; et al 出版日期:2022-11-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)