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标题
Study of scaling effect of ferroelectric gate stack in planar InGaAs MOSFET
平面InGaAs MOSFET铁电栅堆叠的缩放效应研究
相关领域
跨导 材料科学 铁电性 光电子学 晶体管 铁电电容器 负阻抗变换器 电容 阈值电压 磁滞 电压 电气工程 电极 物理 电介质 凝聚态物理 工程类 电压源 量子力学
网址
https://doi.org/10.1002/jnm.3059
DOI
10.1002/jnm.3059 doi
其它 期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields
作者：Subir Kumar Maity; Arindam Basak; Himadri Sekhar Das
出版日期：2022-08-19
求助人
oli 在 2025-12-09 11:10:39 发布自贵州，悬赏 10 积分
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