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标题
Degradation mechanisms of Mg-doped GaN/AlN superlattices HEMTs under electrical stress
Mg掺杂GaN/AlN超晶格HEMTs在电应力下的退化机制
相关领域
材料科学 超晶格 光电子学 兴奋剂 高电子迁移率晶体管 晶体管 压力（语言学） 泄漏（经济） 降级（电信） 宽禁带半导体 电介质 氮化镓 纳米技术 电子工程 电气工程 电压 哲学 宏观经济学 经济 工程类 语言学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1063/5.0094957
DOI
10.1063/5.0094957 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Shanjie Li; Peiye Sun; Zhiheng Xing; Nengtao Wu; Wenliang Wang; et al
出版日期：2022-08-08
求助人
xiaoxiao 在 2025-12-04 13:08:05 发布自江西，悬赏 10 积分
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