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 Enhanced Ferroelectricity Achieved in Sub-6-nm Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Films by Using WO x Inserted W Electrodes 相关领域
铁电性
材料科学
电极
光电子学
薄膜
降级（电信）
泄漏（经济）
缩放比例
压力（语言学）
氧气
工作职能
退火（玻璃）
随机存取存储器
电子工程
极化（电化学）
表面能
铁电电容器
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Boxu Yan; Jiyang Wu; Kunhao Chen; Yixuan Du; Ruiqiang Tao; et al 出版日期：2026-01-12 |
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