Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 43.6% Power-Added-Efficiency at 40 GHz Fabricated by Atomic Layer Etching Gate Recess

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标题	Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 43.6% Power-Added-Efficiency at 40 GHz Fabricated by Atomic Layer Etching Gate Recess
网址	http://dx.doi.org/10.1109/LED.2020.2984663
DOI	10.1109/LED.2020.2984663 doi
求助人	单薄海亦在 2026-08-23 13:16:13 发布自河南，悬赏 10 积分
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